رم کامپیوتر 32 گیگابایت DDR4 چهار کاناله 2666 مگاهرتز جی اسکیل

رم 32 گیگابایت باس 2666 Ripjaws جی اسکیل G.Skill Ripjaws 4 32GB (4x8GB) 2666MHz DDR4 RAM

از ویژگیهای رم 32 گیگابایت باس 2666 Ripjaws جی اسکیل G.Skill Ripjaws 4 32GB (4x8GB) 2666MHz DDR4 RAM می توان به موارد زیر اشاره کرد :
حافظه های سری Ripjaws 4

حافظه های سری Ripjaws 4 اولین سری رم های DDR4 عرضه شده از سوی جی اسکیل هستند. این حافظه ها علاوه بر مصرف پایین تر انرژی نسبت به رم های DDR3، از سرعت و عملکرد بالاتری نیز برخوردار می باشند. G.Skill حافظه های سری ریپجاز چهار را بصورت کیت های 2 تایی (حداقل 8 گیگابایت)، کیت های 4 تایی و کیت های 8 تایی (حداکثر 128 گیگابایت | 8 عدد ماژول 16 گیگابایتی) و با فرکانس (باس) 2133 تا 3400 مگاهرتز عرضه کرده است. این حافظه با تراشه قدرتمند X99 اینتل سازگاری کامل دارد و پشتیبانی از نسخه دوم تکنولوژی XMP اینتل باعث بهروری و استفاده بهینه تر از آن می گردد. قابلیت اورکلاک شدن بالا و پایداری فوق العاده در حالت اورکلاک، مصرف پایین انرژی، تجهیز به هیت سینک خنک کننده و ارائه فن بهمراه برخی مدل ها از جمله خصوصیات این سری RAM ارائه شده از جی اسکیل می باشد.

شرکت جی اسکیل
جی اسکیل (G.Skill) شرکتی تایوانی است که در سال 1989 در تایپه تاسیس شد. این شرکت که بصورت خاص بر روی حافظه های مبتنی بر فلش فعالیت دارد، تمرکز خود را بر تولید حافظه های رم (معمولی و حرفه ای)، درایو های حالت جامد و حافظه های فلش گذاشته است و محصولات آن در سراسر دنیا، از جمله: آمریکای شمالی، اروپا، خاورمیانه و بقیه کشورهای آسیایی به فروش می رسند. جی اسکیل از سال 2003 بصورت حرفه ای شروع به تولید حافظه های RAM کرد و هدف اصلی آن تولید حافظه هایی با سرعت های غیر معمول و بالاتر از حافظه های موجود می باشد. بصورتی که یکی از اولین شرکت هایی است که حافظه های DDR4 را تولید کرده روانه بازار کرده است.


زمان تاخیر و تایمینگ

تایمینگ و زمان تاخیر حافظه رم علاوه بر موارد ذکر شده، حافظه رم مشخصه های دیگری نیز دارد که در عملکرد آن تاثیر گذار است. خصوصیاتی مانند زمان دسترسی (زمان تاخیر یا CAS Latency یا CL) و تایمینگ. این دو خصوصیت به تنهایی بیانگر عملکرد حافظه نیستند و در صورتی بعنوان ملاکی برای نشان دادن برتری یک حافظه نسبت به دیگری در نظر گرفته می شوند که ظرفیت و فرکانس کاری دو حافظه مورد قیاس با یکدیگر برابر باشد. بطور مثال اگر دو حافظه رم DDR3 با ظرفیت 8 گیگابایت و فرکانس کاری 1600 مگاهرتز در اختیار داشته باشیم، حافظه ای سریعتر است که تایمینگ و زمان دسترسی بهتری داشته باشد.
زمان دسترسی یا CL: مدت زمانی (تعداد چرخه ی کلاک) که طول می کشد حافظه رم به CPU پاسخ دهد و یا CPU بتواند به اطلاعات حافظه رم دسترسی پیدا کند. بطور مثال CL10 بیانگر آن است که بعد از 10 چرخه کامل کلاک کاری، پردازنده به آدرس های موجود در حافظه رم دسترسی پیدا می کند. بنابراین وقتی دو حافظه با فرکانس (مثلا 1600 مگاهرتز) زمان های دسترسی معادل CL10 و CL8 برابر باشد، حافظه ای سریعتر عمل می کند که از زمان تاخیر کمتری برخوردار باشد یعنی CL8.
تایمینگ: تایمینگ حافظه بصورت دسته های 3، 4 یا 5 تایی اعداد مثلا: 11-12-11-32 یا 13-13-13-35 نمایش داده می شود، که هر عدد بیانگر مدت زمان (یا تعداد چرخه کلاک) طی شده برای انجام یک سری عملیات در حافظه رم می باشد و طبیعتا تایمینگ کمتر نشان دهنده عملکرد سریعتر حافظه است. شکل کلی تایمینگ با حروف اختصار بصورت زیر است:
CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD مثلا: 8-8-8-24-T2

CL: همانگونه که ذکر شد، زمانی که طول می کشد حافظه RAM به دستوری که از CPU برای آن ارسال شده پاسخ دهد.
tRCD: زمان مورد نیاز برای فعال سازی سطر و ستون مورد نظر در آرایه ماتریسی حافظه رم (RAS و CAS). اطلاعات مورد نظر CPU در این آدرس از حافظه قرار دارد.
tRP: زمان میان غیر فعال سازی یک خط از حافظه و دسترسی به خط دیگری از حافظه که اصطلاحا RAS Precharge گفته می شود.
tRAS: مدت زمانی که حافظه رم منتظر می ماند تا دسترسی بعدی به حافظه آغاز شود.
CMD: فاصله زمانی میان اولین فعال شدن حافظه رم و ارسال اولین دستور به حافظه که معمولا یک یا دو کلاک کاری (T1 یا T2) است و ذکر نمی شود.

 7 سال بعد از معرفی و عرضه حافظه های رم DDR3 با عملکرد بسیار بهتر و سریعتر از حافظه های تصادفی نسل دوم (DDR2)، بالاخره در سال 2014 حافظه های نسل چهارم یا DDR4 با کارآیی بالاتری نسبت به سری های قبلی روانه بازار شدند. البته تحقیقات بر روی حافظه های DDR4 از سال 2005 یعنی دو سال قبل از عرضه DDR3 شروع شد اما بالاخره در سال 2011 نمونه اولیه این نوع حافظه با عملکردی قابل قبول آماده شد و به دلیل امکان استقبال پایین بدلیل هزینه بالا، سرانجام در سال 2014 بصورت محدود و در سال 2015 بصورت انبوه روانه بازار شد.
مصرف حافظه های رم DDR4

حافظه های DDR4 از نظر ساختاری و تکنولوژی برتری ها و تفاوت های زیادی نسبت به سری های قبلی دارد اما عمده و برجسته ترین خصوصیتی که باعث محبوبیت آن و ملاکی برای انتخاب توسط کاربر در نظر گرفته می شود، سه فاکتور مصرف انرژی، سرعت انتقال داده وهمچنین ظرفیت بالاتر ماژول های حافظه می باشد.
رم های DDR3 حداقل به 1.5 ولت انرژی الکتریکی برای عملکرد نیاز دارند در حالی که حافظه های DDR4 بدلیل طراحی جدید گذرگاه انتقال داده (BUS)، با 20 در صد ولتاژ کمتر یعنی 1.2 ولت کارآیی خود را نشان خواهند داد. حافظه های نسل چهار همچنین از قابلیتی جدید یعنی حالت آماده به کار بهره می برند که در این حالت میزان مصرف آنها تا 50 درصد کاهش می یابد. مصرف کمتر انرژی گرمای تولیدی کمتر و در نتیجه پایداری عملکرد قطعه و طول عمر بالاتر آن را نتیجه خواهد داشت. بنابراین کامپیوترهای پراستفاده و بخصوص سرورها دلیل قابل قبولی جهت ارتقای حافظه به رم های DDR4 خواهند داشت.
حافظه های DDR4 با فرکانس پایه 2133 مگاهرتز و حداقل سرعت انتقال داده معادل 17000 مگابایت برثانیه عرضه می شوند و تا فرکانس کاری 3400 مگاهرتز و حتی بالاتر نیز تولید شده اند. این حافظه ها تقریبا 2 برابر سریعتر از حافظه های DDR3 هستند.
یکی دیگر از خصوصیات برجسته حافظه های رم DDR4 تراکم بیشتر (دو برابر) تراشه های حافظه نسبت به سری های قبلی می باشد که به طراحان این امکان را می دهد تا بتوانند ماژول های حافظه با ظرفیت 16 گیگابایت نیز تولید کنند.