کاربرد DRAM در حافظه های رم چیست ؟

DRAM مخفف Dynamic Random Access Memory به معنی حافظه دستیابى مستقیم پویا می باشد. در این نوع حافظه ها برای سلول های حافظه از یك زوج ترانزیستور و خازن استفاده می گردد.
 کمپانی آمریکایی اینتل اعلام کرد که تیم تحقیقاتی آن موفق شده است با کمک مؤسسه تحقیقات فناوری های صنعتی تایوان (ITRI) نوعی حافظه جدید کم مصرف ساخته است که می تواند عمر باتری سیستم ها را بهبود ببخشد.

دوره تأخیر پاسخ دهی نمونه اولیه این DRAM در حدود 4 برابر و مصرف انرژی آن هم 25 برابر کمتر از DDRهای فعلی مورد استفاده در سیستم های کامپیوتری است. این مصرف انرژی کم می تواند باعث بهبود عمر باتری، یکپارچه سازی سریع تر اطلاعات موبایل، ارتقاء گرافیک با بالا بردن رزولوشن تصاویر و در نهایت بهبود تجربه کاربران شود.
آزمایشگاه های اینتل اعلام کرده اند که تکنولوژی بدست آمده از این تحقیقات می تواند در ابزارهای SoC (یا سیستم آنبورد) برای سیستم های موبایل یا کنترلر موبایل برای سیستم های مورد استفاده در پایگاه های داده ای مورد استفاده قرار گیرد.
نمونه اولیه از این حافظه کم مصرف جدیدترین مدل ارائه شده از یک نمونه تحقیقاتی است که توسط آزمایشگاه های تحقیقاتی اینتل و ITRI از سال 2011 تا به امروز در حال ساخت بوده است.

اینتل به عنوان مخترع این فناوری که بیش از نیم قرن از فعالیتش در این عرصه می گذرد بر این باور است که این فناوری می تواند اثری قابل توجه بر بشر و جوامع داشته باشد و آنگونه که ونگ ون هن نایب رئیس این کمپانی می گوید این باور همکاری میان اینتل و دولت ها، جوامع تحقیقاتی، مراکز آموزشی، صنعت و دیگران را موجب می شود. هدف از این تلاش ها هم آن است که تفکر و مهارت هایی جدید را برای قدرتمندتر نمودن چرخ های اقتصاد نهادینه کنند.
اجلاس نوآوری های اینتل در آسیا تا روز چهارشنبه هفته گذشته ادامه داشت و در طول آن بیش از 300 شرکت کننده از چین، هند، کره جنوبی، ژاپن، مالزی، سنگاپور، تایوان، ایالات متحده آمریکا و ویتنام حضور داشتند تا به بحث و بررسی موضوعاتی در ارتباط با فناوری های کلیدی نظیر اینترنت اشیاء، فناوری های پوشیدنی، فناوری های تعاملی و غیره بپردازند.

منبع : متین